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(570)
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irf6691tr1 分立半导体产品 晶体管
irf6691tr1
ir
qfn
06 05
卷带编带包装
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产品信息
类别
分立半导体产品
晶体管 - fet，mosfet - 单个
制造商
infineon technologies
系列
hexfet®
包装
卷带（tr）
零件状态
停产
fet 类型
n 通道
技术
mosfet（金属氧化物）
漏源电压（vdss）
20 v
25°c 时电流 - 连续漏极 (id)
32a（ta），180a（tc）
驱动电压（rds on，rds on）
4.5v，10v
不同 id、vgs 时导通电阻
1.8 毫欧 @ 15a，10v
不同 id 时 vgs(th)
2.5v @ 250μa
不同 vgs 时栅极电荷 (qg)
71 nc @ 4.5 v
vgs
±12v
不同 vds 时输入电容 (ciss)
6580 pf @ 10 v
fet 功能
-
功率耗散
2.8w（ta），89w（tc）
工作温度
-40°c ~ 150°c（tj）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
directfet™ mt
封装/外壳
directfet™ 等容 mt
公司还提供以下
封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）irf6691tr1
电压：4v 6.3v 10v 16v 25v 50v 63v 100v 200v 250v 400v 500v 630v
1kv 2kv 3kv 5kvirf6691tr1
精度：±0.05pf（a档） ±0.1pf（b档） ±0.25pf（c档） ±0.5%（d档）
±1%（f档） ±2%（g档） ±5%（j档） ±10%（k档）
±20%（m档） ± 80%-20%（z档）irf6691tr1
材质：cog npo y5v x5r x6s x7r
品牌：村田 三星 国巨 风华 华新
温馨启示：电子元件是特殊产品，技术含量较高，由于本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，所以可能导致参数与性能的差异，如有不慎，很有可能导致元件购买错误(此种失误，非质量问题一律不退换！)，为了的解决您的问题，请您在购买我们元件前，将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们！拍下物品前请与我沟通产品价格，因格不稳定，实时单价请在线咨询，以便我们能准确的发货
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