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si4816bdy-t1-e3原包原装,强势威世
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si4816bdy-t1-e3原包原装,强势威世

封装 / 箱体::

soic-8

vds-漏源极击穿电压::

30 v

id-连续漏极电流::

6.8 a, 11.4 a

pd-功率耗散::

1.4 w, 2.4 w

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si4816bdy-t1-e3原包原装,强势威世

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制造商:

vishay

 

产品种类:

mosfet

 

rohs:

 详细信息

 

技术:

si

 

安装风格:

smd/smt

 

封装 / 箱体:

soic-8

 

晶体管极性:

n-channel

 

通道数量:

2 channel

 

vds-漏源极击穿电压:

30 v

 

id-连续漏极电流:

6.8 a, 11.4 a

 

rds on-漏源导通电阻:

11.5 mohms, 18.5 mohms

 

vgs - 栅极-源极电压:

- 20 v, 20 v

 

vgs th-栅源极阈值电压:

1 v

 

qg-栅极电荷:

7.8 nc, 11.6 nc

 

pd-功率耗散:

1.4 w, 2.4 w

 

通道模式:

enhancement

 

商标名:

 

系列:

 

封装:

reel

 

封装:

cut tape

 

封装:

mousereel

 

商标:

vishay semiconductors

 

配置:

dual

 

下降时间:

9 ns, 11 ns

 

高度:

1.75 mm

 

长度:

4.9 mm

 

产品类型:

mosfet

 

上升时间:

9 ns, 9 ns

 

工厂包装数量:

2500

 

子类别:

mosfets

 

晶体管类型:

2 n-channel

 

典型关闭延迟时间:

24 ns, 31 ns

 

典型接通延迟时间:

11 ns, 13 ns

 

宽度:

3.9 mm

 

零件号别名:

si4816bdy-e3

 

单位重量:

187 mg

 

公司成立2008年,拥有15年供货经验,主营altera xilinx

 

我们只从原厂或者代理商正规渠道进货,保证原厂原装。

 

本公司有海量现货,共有40万多种元器件。现货当天发货!

 

本公司还提供订货和代购服务。如现货库存不足,我们提供订货服务, 国外交货5-7个工作日

 

我们支持零售。解决样片采购难题,一片起卖,为您提供一站式bom配单采购服务。

封装 / 箱体::

soic-8

vds-漏源极击穿电压::

30 v

id-连续漏极电流::

6.8 a, 11.4 a

pd-功率耗散::

1.4 w, 2.4 w

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